CH1 緒論



CH2 矽晶的性質

2-1 結晶性質

2-2 半導體物理與矽晶的電性

2-3 矽的光學性質

2-4 矽的熱性質

2-5 矽的機械性質



CH3 多晶矽原料的生產技術

3-1 塊狀多晶矽製造技術-西門子方法

3-2 塊狀多晶矽製造技術-AsiMi方法

3-3 粒狀多晶矽製造技術



CH4 單晶生長

4-1 單晶生長理論

4-2 CZ矽晶生長法(Czochralski Pulling)

4-3 MCZ矽單晶生長法

4-4 CCZ矽單晶生長法

4-5 FZ矽單晶生長法



CH5 矽晶圓缺陷

5-1 CZ矽晶的點缺陷與微缺陷

5-2 氧析出物(Oxygen Precipitation)

5-3 OISF(Oxidation Induced Stacking Faults)



CH6 矽晶圓之加工成型

6-1 切斷(Cropping)

6-2 外徑磨削(OD Grinding)

6-3 方位指定加工─平邊V-型槽(Flat & Notch Grinding)

6-4 切片(Slicing)

6-5 圓邊(Edge Rounding)

6-6 研磨(Lapping)

6-7 雙盤研磨(Double Disk Grinding, DDG)

6-8 蝕刻(Etching)

6-9 拋光(Polishing)

6-10 清洗(Cleaning)

6-11 矽晶圓的背面處理



CH7 矽磊晶生長技術

7-1 CVD 基本原理

7-2 矽磊晶的生長

7-3 矽磊晶的性質



CH8 矽晶圓性質之檢驗

8-1 PN 判定

8-2 電阻量測

8-3 結晶軸方向檢定

8-4 氧濃度的測定

8-5 Lifetime量測技術

8-6 晶圓缺陷檢驗與超微量分析技術

8-7 晶圓表面微粒之量測

8-8 金屬雜質之量測

8-9 平坦度之量測



CH9 矽晶圓在半導體上的應用

9-1 記憶體(Memory)

9-2 邏輯積體電路(Logic IC)

9-3 功率半導體元件(Power Semiconductor Device)



附錄A 晶格幾何學

附錄B 基本常數

附錄C 矽的基本性質

附錄D 矽晶圓材料及半導體工業常用名詞之解釋

附錄E 矽晶圓片的重要規格參數